一种应用于大面阵CMOS图像传感器斜坡发生器
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重庆光电技术研究所

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The invention relates to a slope generator applied to a large area array CMOS image sensor
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Chongqing Photoelectric Technology Research Institute

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    摘要:

    为满足大面阵CMOS图像传感器(CIS)的应用需求,本文提出一种斜率可调、且可配合列并行ADC实现普通采样(DS)与相关双采样(CDS)的斜坡发生器电路的实现方案,并对电路进行了设计仿真和版图实现,采用90nm(1.2V/2.8V)1P5M CIS工艺进行了制作。设计结果表明, 该斜坡发生电路结构简单,面积较小,斜率可调、工作模式可调,斜坡幅度>0.5V,复位时间<70ns,DNL 为+0.018LSB/-0.012LSB, INL+0.78LSB/-0.013LSB,满足超大面阵CIS的设计和工程应用需求。

    Abstract:

    To meet the application requirements of large area array CMOS image sensors(CIS), in this paper, a ramp signal generator with slop and samp mode adjustment is presented. And the design ,simulation and layout are implemented, using 90nm(1.2V/2.8V)1P5M CIS process. The design results show that this circuit has simple ctructure,small area, adjustable slope and working mode. The slope amplitude is >0.5V , reset time is<70ns ,DNL is +0.018LSB/-0.012LSB ,INL is+0.78LSB/-0.013LSB , which meets the design and engineering application of large array CIS.

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  • 收稿日期:2025-01-07
  • 最后修改日期:2025-04-13
  • 录用日期:2025-04-17
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