1024×1024元帧转移纵向抗晕CCD图像传感器
作者:
作者单位:

(重庆光电技术研究所, 重庆 400060)

作者简介:

钟玉杰(1983-),男,2009年毕业于四川大学微电子与固体电子学专业,高级工程师,目前从事CCD器件工艺设计研究;

通讯作者:

中图分类号:

TP212

基金项目:


1M Frame Transfer CCD Image Sensor with Vertical Antiblooming
Author:
Affiliation:

(Chongqing Optoelectronics Research Institute, Chongqing 400060, CHN)

Fund Project:

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    摘要:

    帧转移电荷耦合器件(FTCCD)主要应用于可见光信号探测,其在强光应用场合容易出现光晕现象。针对该问题,研制了帧转移纵向抗晕CCD图像传感器,该器件阵列规模为1024×1024元,像素尺寸为12μm×12μm。为了实现纵向抗晕功能,采用了n型埋沟-鞍形p阱-n型衬底结构,纵向抗晕倍数为200倍,器件满阱电子数为大于等于200ke-,读出噪声小于等于80e-,动态范围大于等于2000∶1。

    Abstract:

    Frame transfer charge coupled device (FTCCD) is mainly used for visible light detection, which is prone to bloom in strong light applications. To solve this problem, a frame transfer vertical anti-blooming CCD image sensor was developed. The array size of the device was 1024×1024 elements, and the pixel size was 12μm×12μm. In order to realize the vertical anti-blooming function, an n-type buried channel saddle p-well-n-type substrate structure was adopted. The vertical anti-blooming multiple is 200X, the full capacity is no less than 200ke-, the readout noise is no more than 80e-, and the dynamic range is no less than 2000∶1.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

钟玉杰,杨洪,易学东,吴雪飞,谷顺虎,张娜.1024×1024元帧转移纵向抗晕CCD图像传感器[J].半导体光电,2023,44(1):14-17. ZHONG Yujie, YANG Hong, YI Xuedong, WU Xuefei, GU Shunhu, ZHANG Na.1M Frame Transfer CCD Image Sensor with Vertical Antiblooming[J].,2023,44(1):14-17.

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  • 收稿日期:2022-08-21
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  • 在线发布日期: 2023-04-07
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