1024×1024元帧转移纵向抗晕CCD图像传感器
DOI:
作者:
作者单位:

重庆光电技术研究所

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:


1M Frame Transfer CCD Image Sensor with Vertical Antiblooming
Author:
Affiliation:

Chongqing Optoelectronics Research Institute

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    帧转移电荷耦合器件(FTCCD)主要应用于可见光信号探测,其在强光应用场合容易出现光晕现象。针对该问题,研制了帧转移纵向抗晕CCD图像传感器,该器件阵列规模为1024×1024元,像素尺寸为12μm×12μm。为了实现纵向抗晕功能,采用了n型埋沟-鞍形p阱-n型衬底结构,纵向抗晕倍数为200倍,器件满阱电子数为大于等于200ke-,读出噪声小于等于80e-,动态范围大于等于2000∶1。

    Abstract:

    Frame Transfer Charge Coupled Device (FTCCD) is mainly used for visible light detection, which is prone to bloom in strong light applications. To solve this problem, a frame transfer vertical anti-blooming CCD image sensor is developed. The array size of the device is 1024 × 1024, and the pixel size is 12 micron × 12 micron. In order to realize the vertical anti-blooming function, an n-type buried channel saddle p-well-n-type substrate structure is adopted. The vertical anti-blooming ability is 200X, the full capacity is no less than 200ke-, the readout noise is no more than 80e-, and the dynamic range is no less than 2000:1 were achieved.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2022-08-21
  • 最后修改日期:2022-08-21
  • 录用日期:2022-09-27
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:

漂浮通知

①关于用户登录弱密码必须强制调整的说明
②《半导体光电》微信公众号“半导体光电期刊”已开通,欢迎关注