水基溶液法IGZO-TFT的电学特性研究
作者:
作者单位:

(1. 西安工业大学 光电工程学院, 西安 710021;2. 北京理工大学 光电学院, 北京 100081)

作者简介:

崇 乐(1997-),女,陕西省渭南市人,硕士研究生,主要从事半导体薄膜与器件的研究;

通讯作者:

中图分类号:

O484; TN304.055

基金项目:

国家自然科学基金项目(61874009,11975177);兵器工业联合基金项目;陕西省重点研发计划项目(2020GY-045).通信作者:蔡长龙,喻志农E-mail:879867254@qq.com; znyn@bit.edu.cn.


Study on Electrical Properties of IGZO-TFT by Aqueous Solution Method
Author:
Affiliation:

(1. School of Optoelectronic Engineering, Xi'an Technological University, Xi'an 710021, CHN;2. School of Optics and Photonics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, CHN)

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    摘要:

    采用水基溶液法制备铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT),研究了在有无紫外光辅助退火条件下,不同后退火温度(270,300,330,360和400℃)对IGZO-TFT器件电学性能的影响。研究发现,IGZO-TFT在后退火温度为360℃时器件电学性能最佳,从而证明了水基溶液法在小于400℃的低温下可以制备IGZO-TFT。同时,研究表明,在后退火温度为360℃时,与无紫外光辅助退火IGZO-TFT相比,经紫外光辅助退火IGZO-TFT的饱和迁移率从1.19cm2/Vs增加到1.62cm2/Vs,正栅偏压偏移量从8.7V降低至4.6V,负栅偏压偏移量从-9.7V降低至-4.4V,从而证明了紫外光辅助退火对IGZO薄膜具有激活与钝化作用,可以优化IGZO-TFT器件的电学性能。

    Abstract:

    Indium gallium zinc oxide thin film transistors (IGZO-TFT) were prepared by aqueous solution method, and the effects of different post-annealing temperatures (270,300, 330,360 and 400℃) on the electrical properties of IGZO-TFT devices with and without UV-assisted annealing conditions were investigated. It is found that the IGZO-TFT exhibites the best device electrical properties at the post-annealing temperature of 360℃, thus demonstrating that the aqueous solution method can prepare IGZO-TFTs at low temperatures of less than 400℃. Meanwhile, it is shown that at a post-annealing temperature of 360℃, compared with the non-UV-assisted annealed IGZO-TFT, the saturation mobility of the UV-assisted annealed IGZO-TFT increases from 1.19 to 1.62cm2/Vs, and the positive gate bias offset decreases from 8.7 to 4.6V and the negative gate bias offset decreases from -9.7 to -4.4V, thus demonstrating that UV-assisted annealing has activating and passivating effects on IGZO films, which can optimize the electrical properties of IGZO-TFT devices.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

崇乐,栗旭阳,蔡长龙,梁海锋,裴旭乐,弥谦,喻志农.水基溶液法IGZO-TFT的电学特性研究[J].半导体光电,2022,43(5):861-866. CHONG Le, LI Xuyang, CAI Changlong, LIANG Haifeng, PEI Xule, MI Qian, YU Zhinong. Study on Electrical Properties of IGZO-TFT by Aqueous Solution Method[J].,2022,43(5):861-866.

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  • 收稿日期:2022-05-06
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