CMOS图像传感器辐照损伤效应仿真模拟研究进展
作者:
作者单位:

(1. 西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024;2. 湘潭大学 材料科学与工程学院, 湖南 湘潭 411105;3. 西安高科技研究所, 西安 710024)

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

TN386.5;O605

基金项目:

国家自然科学基金项目(U2167208,11875223);国家重点实验室基金项目(SKLIPR1803,SKLIPR2012,SKLIPR2113).通信作者:王祖军E-mail:wzj029@qq.com


Simulation Research Progress of Radiation Damage Effects on CMOS Image Sensors
Author:
Affiliation:

(1. State Key Lab. of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect (Northwest Institute of Nuclear Technology), Xi'an 710024, CHN;2. Xiangtan University, School of Materials Science and Engineering, Xiangtan 411105, CHN;3. Xi'an Research Institute of High-Technology, Xi'an 710024, CHN)

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    摘要:

    CMOS图像传感器(CIS)工作在空间辐射或核辐射环境中遭受的辐照损伤问题备受关注。对CIS辐照损伤效应进行仿真模拟研究有助于深入揭示辐照损伤机理,进而开展抗辐射加固设计,有效提升CIS抗辐照能力。文章通过梳理国内外开展CIS辐照损伤效应仿真模拟研究方面的进展情况,结合课题组已开展的电子元器件辐照效应仿真模拟和实验研究基础,从CIS器件建模、时序驱动电路建模、辐照损伤效应建模、仿真模拟结果校验等方面探讨了CIS辐照损伤效应的仿真模拟方法,分析总结了当前CIS辐照效应仿真模拟研究中亟待解决的关键技术问题。

    Abstract:

    The problems of radiation damage suffered by the CMOS image sensors (CISs) in space radiation or nuclear radiation environments have been paid much attention. The simulation researches of the CIS will be helpful to reveal the mechanism of radiation damage in the CISs, and then develop the radiation-resistant reinforced design, so as to improve the ability of the radiation resistance of the CISs. The simulation research progress of radiation damage effects in the CISs at home and abroad was briefly introduced. Combining the radiation effect simulation of the electronic components with a lot of practical experience in radiation experiments developed by the project team, the simulation methods of radiation damage effect in the CISs were discussed in the aspects of device physical modeling, clock driving circuit modeling, radiation damage effect modeling and simulation results verification. The key problems that need to be solved in the simulation researches of radiation damage effects in the CISs were analyzed and summarized.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

王祖军,赖善坤,杨勰,贾同轩,黄港,聂栩. CMOS图像传感器辐照损伤效应仿真模拟研究进展[J].半导体光电,2022,43(5):839-847. WANG Zujun, LAI Shankun, YANG Xie, JIA Tongxuan, HUANG Gang, NIE Xu. Simulation Research Progress of Radiation Damage Effects on CMOS Image Sensors[J].,2022,43(5):839-847.

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  • 收稿日期:2022-04-15
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