PECVD制备氮化硅薄膜的研究

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PECVD制备氮化硅薄膜的研究
DOI:
                        
CSTR:
                        
作者:
                        
作者单位:中国电子科技集团公司第四十八研究所;
作者简介:
通讯作者:
中图分类号:TN305.92
基金项目:

Study on SiNx Thin Film Prepared by PECVD

Author:

Affiliation:

ZHAO Chongyou,CAI Xianwu(The 48th Research Institute,China Electronics Technology Group Corporation,Changsha 410083,CHN)

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摘要:

采用PECVD法制备了氮化硅薄膜,探讨了沉积参数对氮化硅薄膜折射率的影响和衬底温度对氮化硅薄膜形貌和成分的影响规律。结果表明,不同的NH3流量可改变反应腔体内的氮硅比,对氮化硅的折射率,即减反射性能影响较大;衬底温度是影响氮化硅薄膜形貌和成分的主要因素;在衬底温度达到400℃时,形成了白色团状或岛状的氮化硅膜。

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引用本文

赵崇友,蔡先武. PECVD制备氮化硅薄膜的研究[J].半导体光电,2011,32(2). ZHAO Chongyou, CAI Xianwu. Study on SiNx Thin Film Prepared by PECVD[J].,2011,32(2).

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在线发布日期: 2012-02-09
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