总剂量辐照效应模型在TDI-CCD器件中的应用
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Applications of Total Dose Effect Model in TDI-CCD Devices
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    摘要:

    介绍了抗辐射加固设计使用的总剂量辐照效应模型, 研究了它在时间延迟积分电荷耦合器件(TDI-CCD)电荷转移效率参数衰减中的应用, 并通过不同剂量60Co γ辐照试验, 验证了该模型在TDI-CCD器件抗辐射加固设计中的应用价值。

    Abstract:

    In this paper, the model of total dose irradiation effect used for the radiation-hardened design is introduced, and its applications in attenuation of the parameters such as charge transfer efficiency (CTE) of TDI-CCD were studied. Γ radiation experiments with different dose of 60Co verify the application value of the model in the radiation-hardening design of TDI-CCD.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

吕玉冰,王颖,汪朝敏,李金,刘昌林.总剂量辐照效应模型在TDI-CCD器件中的应用[J].半导体光电,2014,35(5):782-784. Applications of Total Dose Effect Model in TDI-CCD Devices[J].,2014,35(5):782-784.

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  • 收稿日期:2013-10-10
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  • 在线发布日期: 2014-11-05
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